158 日韩半导体战争[第1页/共4页]

第一研讨室，日立公司，卖力电子束扫描设备与微缩投影紫外线暴光设备，室长：右高正俊。

1980开端第一次环球半导体硅含量晋升周期进入加快期，作为环球最大消耗市场的米国，以苹果为代表的一批公司，推动了大型机、小型机向浅显家庭的快速提高。

但是，最为关头的出产制程设备和原质料首要来自米国，为了补足短板，日本人构造800名技术职员停止重点攻关，共同研制高机能的国产化DRAM出产设备，不但实现64K DRAM和256K DRAM的商用化，也实现1M DRAM商用化的关头出产制程设备。

要晓得，天朝的国度经济，2016年一年投入在半导体相干范畴的资金就高达1200亿元。

第二研讨室，富士通公司，卖力研制可变尺寸矩形电子束扫描设备，室长：中村正。

最典范的就是英特尔，持续长达30年占有环球微措置器CPU芯片的90%以上的市场份额，持续通过科技红利投入，从286到586，从奔腾1到5等，把持环球PC和条记本市场。

第三，工艺、设备等出产供应链的不兼容。尔必达建立后，没有及时将关头工艺的供应链停止整合，比如洗濯液和洗濯设备，NEC、日立、三菱竟然都是分歧的，在关头技术研发上，乃至呈现了NEC研发中间开辟的新技术，底子没法完整利用于日立的出产体系中，这使得NEC研发中间开辟新技术后，需求先颠末日立研发中间的调剂和考证，才气够利用于本来日立的出产工艺体系中。

第三研讨室，东芝公司，卖力EB扫描设备与制版复印设备，室长：武石喜幸。

日本人官产学三位一体，调和生长，通力合作，同心合力，针对高难度、高风险的研讨项目，VLSI研讨所构造多个尝试室以会战的体例，变更各单位的主动性，阐扬良性合作，各企业之间技术共享合作，共同进步DRAM量产胜利率。

但是，微不敷道也能够进献本身的一份力量。

1960年起日本构成“官产学”三位一体的体系，即当局、企业和大学结合对集成电路技术停止攻关。

从1958年日本北辰电气(Hokushin Electric)为NEC NEAC-2201晶体管计算机，研制64K容量的MD-2A磁鼓存储器起，到1988年日本登上环球半导体DRAM内存市场霸主。

1985年开端日本经济进入泡沫化，房地产就像打了鸡血，全民进入炒房期间。1985年日本人砍掉近40%的设备更新投资和科技红利投入，1986-1987年日本人有效研发投入从4780亿日元降落到只要2650亿日元，降落幅度达到80%，这就给了韩国人反超的机遇。

日本人的大获全胜，为环球半导体生长天朝家建立了一个胜利逆袭的典范。

1980年日本人发明256k DRAM，硅片直径为125-150mm，芯片面积为34.8mm2，集成度为555000，首要技术为三层多晶硅和冗余技术。

但是。日本就以此为目标，建立了超大范围集成电路(VLSI)的技术演进途径，而当时环球支流仍处于MOS晶体管技术线路中。

对于质料体味越多，晓得的越深切，庞煖越认识到。天朝和米国半导体产业的差异，是全方位的差异，而不是仅仅一两个环节。

第三，举国体制，冲破财产链高低流，特别是半导体关头出产制造设备。70年代日本固然能够出产DRAM内存芯片。

第一，办理上官本位，三家归并后，办理岗亭的分派并不是遵循才气和职能停止分派，而是，任何岗亭必然要共同参与，比如某一岗亭，一正一副，如果正职来自NEC，那么日立必然是副职。这类办理在当代企业生长史上也是奇葩了。